1 媒介
最大限度地低落功率損耗，在不增加本錢的前提下提高功率密度，是現代高能效開關電源面對的主要挑戰。開關電源的設計方針是低落功率的通態損耗和開關損耗。
不顯著影響本錢和功率密度而到達優化功率通態損耗的目標是很難的，因為實現這個方針需要更多的質料，譬喻，晶片和銅線面積。與通態損耗差異，低落功率開關損耗而不會大幅提高電源本錢較量容易做到。低落功率開關損耗有兩個主要要領：改造半導體技能的動態特性或電路拓撲。
回收碳化硅和氮化鎵等質料的新型二極管可大幅低落開關損耗。然而，這些新產物的能效本錢比并不合用于公共市場，如臺式機電腦和處事器電源。
本文重點闡述的專利電路[1]回收軟開關法，能效/本錢/功率密度/EMI比優于碳化硅高壓肖特基二極管，因此切合市場預期。
1.1 二極管導通損耗
在200W～ 2000W之間的公共市場電源凡是需要一個持續導通（CCM）的功率因數校正器（PFC）。要想提高功率轉換器的功率密度，就應該提高開關頻率。然而，功率因數校正器的主要開關損耗是功率開關/整流器換向單位的損耗，提高開關頻率意味著更高的損耗。因為PN結二極管發生電壓電流交錯區損耗和反向規復損耗 [2] ，如圖1.1所示，所以，主要功率損耗產生在功率開關的導通階段。

圖1 導通損耗與二極管范例和電流軟開關法比擬:
(a)PN結二極管特性；(b)碳化硅和氮化鎵二極管特性；(c)電流軟開關特性。

為低落PN結二極管整流器引起的功率損耗，最近多家半導體廠家推出了回收碳化硅和氮化鎵技能的高壓肖特基二極管。盡量半導體廠商支付盡力，可是仍然不能消除在晶體管導通進程中產生的電流電壓交錯區，如圖1（b）所示。與PN結二極管差異，碳化硅二極管可以或許提高dI/dt，而二極管的反向規復電流沒有提高。因此，開關時間變小，導通功率損耗也跟著變小，可是不能徹底消失。當今，為遵守EMI電磁滋擾防護尺度，在功率因數校正器設計內，碳化硅二極管導通dI/dt最大值約1000A/μs，而傳統的PN結二極管的dI/dt值為 300A/μs。
1.2 軟導通法
另一種低落導通損耗的要領是利用1個軟開關，增加1個小線圈L來節制dI/dt。該辦理方案，消除了在晶體管導通進程中產生的電壓電流交錯區和PN結二極管反向規復電流效應，如圖1（c）所示。電流軟開關辦理方案不是新技能，可是必需到達相關的技能尺度：
⑴ 在每個開關周期重置線圈L的電流（不管電流、輸入和輸出電壓如何變革）；
⑵ 無損規復線圈貯存的感到能量；
⑶ 抑制半導體器件上的任何過壓和過流應力；
⑷ 當增加任何器件時保持本錢不增加；
⑸ 保持相似的功率密度。
許多電路都可以分為兩大類：有源規復電路和無源規復電路。
1.3 有源規復電路
在有源規復電路中，零電壓轉換(ZVT)電路[3]是設計人員很是熟悉的電路，如圖2所示。 這種電路可以革除導通功率損耗和關斷功率損耗。

圖2 ZVT有源規復電路

從理論上講，因為所有的開關損耗都被消除，零電壓轉換(ZVT)是功率因數校正（PFC）應用最抱負的拓撲。另外，不管輸入和輸出功率如何變革，這種電路都能正常事情。然而，在實際應用中，升壓二極管DB的反向規復電流對零電壓轉換電路的影響很是明明，致使電感和最小占空比都受到必然水平的限制。因為小線圈L上的重置電流，D2的反向規復電流包括高應力電壓和寄生阻尼振蕩。最后，PN結二極管的動態特性影響零電壓轉換(ZVT)電路的總體能效，因為這個晶體管的導通時間應該增加，并且為低落半導體器件蒙受的電應力，必需增加一個有損緩沖器。
從本錢上看，零電壓轉換(ZVT)電路需要增加一個功率MOSFET開關管和一個專用的PWM節制器。固然市面有多種差異的零電壓轉換(ZVT)電路，可是仍然無法降服上述技能困難，并且奮發的本錢基礎不適合公共市場應用。因此，無源規復電路更有吸引力。
1.4 無源規復電路
圖3所示電路是一個很好的無源規復電路示例[4]，只需別的增兩個二極管和一個諧振電容。
當外部條件穩定時，這個電路事情精采。不外，在功率因數校正應用中設計這種電路難度很大。這是因為小線圈的重置電流受到升壓二極管的反向規復電流和外部電氣條件的限制。

圖3 無源規復電路